N沟道MOSFET带负载时电压不正常.负载为线圈,栅极输入为20Hz20V的方波,输出只有20V.

N沟道MOSFET带负载时电压不正常.负载为线圈,栅极输入为20Hz20V的方波,输出只有20V. N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别 如何判断MOSFET是N沟道还还P沟道=0=嘛 不是说现实在学MOSFET N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用? 试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号 N沟道MOSFET为什么会出现楔形沟道并出现预夹断 MOSFET怎么由Id,vgs图区分是N沟道还是P沟道 为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 N沟道MOS管漏源之间加负电压是什么现象在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,可以产生回路吗?另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负, 在G极悬空的条件下,增强型N沟道MOSFET的D极和S极之间的的电压比较的大,是不是会导致D与S的导通呢. N沟道耗尽型MOSFET,ID=0,S与D之间的压降是否恒定 n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置呢? N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装 N沟道MOSFET,按使用电位高低分为源和漏区,这是为什么,电流不是从高电位流向低电位吗,应该漏区是高的呀