关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/05/12 06:36:13
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关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题
pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或者一部分收内建电场的作用另一部分做扩散运动呢?这些光生载流子为什么全都只受内建电场的作用啊?求解释.

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PN结形成后,交接面上电子和空穴大量复合,形成一个耗尽层.此时N区由于丧失了电子呈正离子效应,显正电,P区呈负电.因而建立了从N区指向P区的内建电场.
此时电子在电场力作用下,向N区移动,而相反空穴向P区运动,这些统称为漂移运动.
同时由于浓度差,N区的电子还会向P区运动,P区的空穴也有类似情况,这些统称为扩散运动,
如果PN结不加外电场,则扩散运动和漂移运动的总量呈动态平衡.
而扩散运动主要受温度和浓度影响,你现在的条件下,温度不变,而光生伏特效应对多子浓度的影响也相当有限,因而扩散运动强度基本上可以认为是不变的.
也就是漂移作用的总强度基本上也可以认为不变,而漂移作用中一部分多子来自于本身,另一部分来自于光生伏特效应,换句话说,光生伏特效应其实压制了原先PN结中的漂移作用,由此产生的多子会往哪里跑,就很明显了.

关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或 什么是光生伏特效应 光声伏特效应如何产生不好意思是，光生伏特效应！ 为什么光生伏特效应器件比光电导器件效应速度快 LED发光原理在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来.怎么出现这个少数载流子,多数载流子呢? PN结光生伏特效应的基本原理. 光电发射的基本定律与光电导和光伏特效应的本质区别 光生伏特效应与光生伏打效应是同一个么?若不是那么它们各指的什么?有什么区别和联系? 光的效应有哪些? 内光电效应对应的光电元件各是那些?内光电效应:1光电导效应 2光生伏特效应 3光子牵引效应 光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二 pn结中存在几种载流子的运动? 光电发射效应与光电导和光生伏特效应相比本质区别是什么是不是因为光电发射效应电子溢出表面必须有最小能量,既逸出功呢? 问一个关于光阴影的效应这种图的效应 叫什么来着 记不得了. 光电效应与光伏效应的区别 光的偏正效应证明了什么? PN结中什么是载流子载流子是什么 PN结的电容效应也称结电容 光的散射就是丁达尔效应?丁达尔效应是光的反射，这样说对吗？